半导体器件辐射效应的新问题前言：在辐照的MOS结构中，硅衬底中产生的载流子可能产生瞬态现象，可能导致软误差，还会导致灾难性的后果，如锁存，主要是由于反向偏置结的电荷收集。而我们将研究辐射对栅极氧化物层的影响，在那里，大多数辐射产生的载流子在热化后不久就会迅速重组，有些被留在了后面：虽然电子由于其高迁移率可以被氧化物场迅速扫出，但缓慢的残留空穴可能被困在预先存在的环境中。
RILC和RSB是影响超薄氧化物最重要的降解现象。RILC和RSB的特点都是电流的增加，比硬分解状态要小得多。RILC和，主要是，RSB已经被证明不是数字非常大规模集成的一种增强的故障模式。这些观察是基于这样的假设，即由于小栅泄漏，设备的运行完整性基本保持，很少有可能的例外。此外，RSB的概率在太空任务中似乎极低。当考虑到长期的器件可靠性时，辐射不是唯一的问题，因为在正常电路运行中，栅氧化物受到高电场的影响。
1、P沟道耗尽型 mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通…
首先，你的MOS晶体管耗尽了。所以当你的VGS电压为0V时，电子管就打开了。一楼不对，不要像他一样。这个原理是:做管子的时候，导电沟已经做好了。当VGS为负电压，即VGS小于0V时，电子管逐渐从导通状态断开。至于什么时候切断，那要看你的VGS电压了。比如用VGS5V的时候，管被切断(具体可以参考你用的MOS管数据表)。
2、关于场效应管Vgs和Vds电压的问题
Vds是场效应晶体管漏源之间的电压，Vgs是栅源之间的电压，也就是说电压值和电流方向没有加减关系。传导是电阻性的，它不是超导材料，甚至不是“导体”，而是“半导体”。只要有电流流过，就会有电压降。当电流达到一定值时，会超过Vgs控制电压产生的电流，然后进入饱和区。事情是这样的。电路有一个参考点作为地，平时提到的电压都是参考地。比如你说的D极电压，就是D极相对于地的电压。
3、 mos管的宽长比是什么
mos管没有长宽比。mos灯管的VGS越负(绝对值越大)，通道的导通电阻越小，电流值越大。MOS晶体管可以分为两类:N沟道和P沟道。P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别称为源极和漏极。两个电极之间不导电。当源极上施加足够的正电压时(栅极接地)，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。
这种MOS场效应晶体管被称为P沟道增强型场效应晶体管。如果N型硅衬底表面没有栅压，P型反型层的沟道就会存在，加上适当的偏置电压，可以增大或减小沟道的电阻，这种MOS场效应晶体管被称为P沟道耗尽型场效应晶体管。扩展数据:PMOS的特性，当Vgs小于某个值时会开启，适用于源极接VCC(高端驱动)的情况，需要注意的是，Vgs指的是栅极G和源极S之间的电压，即栅极比电源低一定电压时导通，而不是相对于地的电压。