解释什么是施主杂质，什么是电离杂质？施主杂质和受主杂质，分别是砷是施主或受主砷是施主。根据杂质在半导体材料中的行为，可以将杂质分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质，Si掺杂有B(硼)杂质，B是施主杂质，2.这种杂质称为施主，捐赠者。掺杂杂质主要有两类:第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质(如Si中的B、P和As)；第二类是产生复合中心的重金属杂质(如Si中的Au)。
1、杂质半导体可以分为哪两种?
N型半导体和p型半导体。1.n型半导体在本征半导体硅(或锗)中掺杂少量的五价元素，如磷，那么磷原子会取代硅晶体中的少量硅原子，占据晶格上的一些位置。2.在本征半导体硅(或锗)中，如果掺杂少量的三价元素，如硼，那么硼原子会取代晶体中的少量硅原子，占据晶格上的一些位置。扩展数据属性:1。电荷中性的条件:如果导带中的电子浓度为n，价带中的空穴浓度为p，电离的施主浓度为nd，电离的受主浓度为NA，满足以下电荷中性的条件。
2、浅能级杂质的Ⅲ-Ⅴ族半导体中的浅能级杂质
a)在GaAs、GaP等ⅲ ⅴ族半导体中，ⅵ族元素是施主杂质，取代晶格上的ⅴ族原子。它们在GaAs的电离能分别是S。根据杂质在半导体材料中的行为，可以分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。杂质根据其电离能可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级杂质对半导体材料的电导率有很大影响，而深能级杂质对少数载流子复合的影响更显著。氧、氮、碳在半导体材料中的行为是复杂的，它们的作用不同于金属杂质。以硅和砷化镓为例，描述杂质的行为。1可能影响半导体的单边导电性，2可能造成短路，3可能烧坏。半导体中的杂质对导电性有很大的影响。本征半导体掺杂形成杂质半导体，一般可分为N型半导体和P型半导体。
捐赠者。理论上，pbs中的S空位和pb空位是施主:1。pbs中的S空位和pb空位在施主杂质掺入半导体后是带正电荷的离子，同时施主会给导带提供电子。2.这种杂质称为施主。施主电离成正电荷离子(中心)的过程称为施主电离。3、砷是施主还是受主
砷是施主。砷，俗称砒霜，元素符号为As，是一种非金属元素，位于化学元素周期表的第4周期，VA族，原子序数33。单质以三种同素异形体的形式存在:灰砷、黑砷、黄砷。砷广泛存在于自然界中，已发现数百种砷矿物。砷及其化合物用于杀虫剂、除草剂、杀虫剂和多种合金。它的化合物三氧化二砷叫砒霜，是一种毒性很大的物质。
砷是一种广泛分布于自然界的非金属元素。地壳中的含量约为2~5mg/kg，是地壳的第20种元素。在土壤、水、矿物和植物中可以检测到微量砷。在正常的人体组织中也发现了微量的砷。砷以不同的形式存在于地壳中:雌黄、雄黄等。存在于毒砂中。砷主要以硫化物矿物形式存在，砷也以氧化物和少量单质形式存在。自然界到处都有砷:火山爆发，含砷矿石。
4、Si中掺杂B是施主还是受主
半导体常见的掺杂技术有两种，即高温(热)扩散和离子注入。掺杂杂质主要有两类:第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质(如Si中的B、P和As)；第二类是产生复合中心的重金属杂质(如Si中的Au)。Si掺杂有B(硼)杂质，B是施主杂质。b最外面的3个电子，应该是受主。
5、以v族元素掺入si中为例,说明什么是施主杂质,施主杂质电离过程和n型半导…
P型半导体:硼或铟等杂质-受主杂质周期表中III族元素的价带为三电，导带能级低于IV族元素。硼或铟的导带可以更容易地从锗或硅的价带转移。硼或铟的导带因失电而被称为空穴。P型半导体材料的导电主要是由带电空穴引起的。少数带电粒子携带电流。n型半导体:杂质周期表第V族中的一种元素-施主杂质如砷或砷被掺杂。锑等元素的价带都是五电杂质，元素的价能级低于锗(或硅)。容易进入IV族元素的导带，部分材料由于残留电离而变成半导电。所谓N型材料的导电性，主要是由电量引起的。这个问题感觉没有意义。你可以自己去找资料。
6、电离杂质的杂质是什么?怎么把负电的杂质与载流子分离
首先明确掺杂了什么样的杂质，它们的电离条件，温度，浓度。比如在Si中掺杂P，其电离能为0.044，在室温下可以完全电离，呈现N型，载流子浓度可以认为是杂质浓度，但如果P和B不单独掺杂，分别是施主杂质和受主杂质，两者要先补偿，所以载流子浓度等于两者。