mosfet是什么意思？工作原理是什么？FET的工作原理是什么？MOSFET的工作原理是什么？mos管的工作原理MOS管是一种金属氧化物(oxid)半导体场效应晶体管。mos器件的工作原理是什么？MOS(MetalOxideSemiconductor)器件是一种半导体器件，由三层金属氧化物半导体组成。
1、高分悬赏!谁能用最通俗的语言给我讲清楚MOS管的主要功用,及工作原理
对于CPU供电电路来说，从低负载到满负载电流变化很大，是因为当前的CPU耗电量很大。为了保证CPU在快速负载变化中不会因为电流供应不足而停机，CPU供电电路要求有非常快的大电流响应能力。电源电路中的MOSFET、电感、电容都会影响这种能力。理想状态下，厂商使用最快的MOSFET，高磁通的粗导线电感线圈，超低ESR的输入输出电容。
不同的主板厂商在选材上有不同的侧重。一个厂商可能会选择一个快MOSFET，快MOSFET的开关噪声比较小，这样输入输出的电容水平可以降低一点。英特尔的主板采用了高磁导率的电感磁芯(降低了线圈的损耗电流)，所以用厚一点的线圈就够了。但是大部分厂家会采用更便宜的磁芯，采用三线并联绕制的方式来解决，这样即使损耗很大，线圈也不会散发太多的热量。
2、MOS管的工作原理
mos晶体管是一种金属氧化物(oxid)半导体场效应晶体管。、或金属绝缘体半导体。MOS晶体管的源漏可以切换，都是在P型背栅中形成的N型区。在大多数情况下，两个区域是相同的，即使两端切换，也不会影响器件的性能。这种器件被认为是对称的。
双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于其跨导，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。场效应晶体管这个名字也来自于它的输入端(称为栅极)，通过在绝缘层上投射电场来影响流经晶体管的电流。
3、MOS管有哪些作用,工作原理是什么?
因为MOS管主要是为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中CPU和AGP插槽附近排列了一组MOS管，内存插槽共用一组MOS管，一般以两组的形式出现在主板上。工作原理:双极晶体管放大输入电流的微小变化，输出输出电流的大变化。双极晶体管的增益定义为输出电流与输入电流之比(β)。
它们分别是电流控制装置和电压控制装置。FET的增益等于其跨导)gm，跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。FET的名字也来源于它的输入栅极，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上这个绝缘体(只是一个电容)是没有电流流过的，所以场效应管的栅极电流很小(电容的电流损耗)。
4、MOSFET的工作原理是什么?
功率MOSFET (N沟道增强型VDMOS)关断的工作原理:在漏极和源极之间加一个正电源，栅源电压为零。形成在P基极区和N漂移区之间的PN结J1反向，并且没有电流在漏极和源极之间流动。导电性:在栅极和源极之间施加正电压UGS。当UGS大于UT时，P型半导体反型为N型，成为反型层，形成N沟道，使PN结J1消失，漏极和源极导通。功率MOSFET的基本特性(1)静态特性漏电流ID与栅源电压UGS的关系称为MOSFET的传输特性。
5、mos管的作用及原理
目前主板或显卡上使用的MOS管不多，一般有10个左右。主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。一般来说，MOS晶体管在主板上是两个一组出现的。工作原理双极晶体管将输入端的小电流变化放大，然后在输出端输出大电流变化。
另一种晶体管叫FET，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。它们是电流控制装置和电压控制装置。FET的增益等于其跨导(gm)，跨导定义为输出电流变化与输入电压变化之比。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate)，它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。实际上没有电流流过这个绝缘体(只有电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。
6、场效应管工作原理是什么?
场效应晶体管的工作原理就是场效应晶体管。一般的晶体管之所以称为双极晶体管，是因为它是由两种极性的载流子，即极性相反的多数载流子和少数载流子导通的，而FET只由多数载流子导通。它是双极晶体管的对立面，也称为单极晶体管。它是一种压控半导体器件，具有高输入电阻(108 ~ 109ω)、低噪声、低功耗、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点。现在已经成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。
结型场效应晶体管(JFET)因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应晶体管(JGFET)因其栅极与其他电极完全绝缘而得名。目前绝缘栅场效应晶体管中，应用最广泛的是MOS场效应晶体管，简称MOS晶体管(金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET)。此外，还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应晶体管，以及最近刚出的πMOS场效应晶体管和VMOS功率模块。
7、mos管工作原理
mos晶体管工作原理P型反型层的沟道存在于没有栅压的N型硅衬底表面，适当的偏置电压可以增大或减小沟道的电阻。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，所以当MOS晶体管的几何尺寸和工作电压的绝对值相等时，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管的跨导。一般是指金属氧化物半导体场效应晶体管，或者金属绝缘体半导体。
8、mos器件工作的原理是什么
MOS(金属氧化物半导体)器件是一种半导体器件，由三层金属氧化物半导体组成。其工作原理是通过控制金属氧化物界面的电动势差来控制电子在半导体层中的流动，从而实现传导或阻断电流的功能。MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是最常用的类型之一，它通过控制栅极电压来控制通过器件的电流。
9、mosfet是什么意思?
MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可广泛应用于模拟和数字电路的场效应晶体管。根据其“沟道”(工作载流子)的极性，MOSFET可分为“N型”和“P型”两种，俗称NMOSFET和PMOSFET，其他简称还有NMOS和PMOS。