PWM控制MOS管，PWM控制芯片电阻值。然后MOS晶体管有一个简单的驱动模式:2SC1815 2SA1015，NPN和PNP中的一个用于MOS导通驱动，另一个用于MOS快速关断，此时既要隔离传输控制信号(如PWM信号)，也要向驱动级(MOS管的驱动电路)传输电能，扩展数据:mos晶体管的主要参数，开启电压VT，开启电压(又称阈值电压):源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅电压；标准n沟道MOS晶体管的VT约为3 ~ 6v；通过改进工艺，MOS管的VT值可以降低到2 ~ 3V。
1、单片机pwm驱动mos管的问题
MOS晶体管内阻很小，约40mΩ，传导电流支持20A。Ok，能达到4mω左右，传导电流支持80A；10A电流在普通MOS晶体管上的压降是0.4V，不足以影响负载吧？栅极导通电压2.1V~4V，标称3V；3.7V锂电池，饱和度4.2V选择一个工作在3.3V的单片机就足够驱动了。我们真正需要考虑的是电池的负载能力，10A的瞬态输出，3A的持续输出。如果电池负载能力不足，电压会瞬间下降，很可能低于3V。
2、请问用场效应管和pwm驱动直流电机的问题,图中的肖特基二极管的作用…
3、求一个单片机控制mos管的电路图
单片机主要根据mos管要驱动什么来驱动MOS管电路。如果只是继电器之类的小负载，可以用51的引脚直接驱动。注意感性负载的保护二极管和吸收缓冲器，最好用N沟道MOS。如果驱动的东西(功率)很大，最好做电气隔离、过流过压保护、温度保护等。此时既要隔离传输控制信号(如PWM信号)，也要向驱动级(MOS管的驱动电路)传输电能。
如果你是做产品的，建议你做一个建议DCDC，可以降低成本。然后MOS晶体管有一个简单的驱动模式:2SC1815 2SA1015，NPN和PNP中的一个用于MOS导通驱动，另一个用于MOS快速关断。扩展数据:mos晶体管的主要参数，开启电压VT，开启电压(又称阈值电压):源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅电压；标准n沟道MOS晶体管的VT约为3 ~ 6v；通过改进工艺，MOS管的VT值可以降低到2 ~ 3V。
4、…mos管的D极和三极管的集电极可以接pwm信号吗?有什么影响?
1。MOS晶体管不仅可以作为开关电路使用，还可以模仿加宽，因为在一定方案下栅压的变化会导致源漏间导通电阻的变化。它们之间的主要区别在于，双极晶体管是电流控制器件(较大的集电极电流由较小的基极电流控制)，而MOS晶体管是电压控制器件(源极和漏极之间的导通电阻由栅极电压控制)。2.三极管有截止、展宽、充满三种工作状态，通过改变基极电流来结束，只有在截止和充满之间切换才是切换电路。
所以这两种器件都可以用于模拟电路和数字电路。两种设备各有优缺点，模拟电路和数字电路中都有使用。三极管和mos管区别很大:一种是电流驱动型(三极管)；一种是电压驱动型(MOS)；2.三极管便宜，mos管贵。3、晶体管损耗大。4.mos晶体管常用于电源开关和大电流本地开关电路。三极管价格便宜，使用方便，常用于数字电路开关控制。
5、PWM控制芯片电阻取值。单片机。
让我说完。我不太明白你说的话。第一个问题:不知道。第二个问题:我一般用IGBT做MOS，因为它的栅特性和MOS管有些相似。对于MOS来说，Rg的电阻一般很小(10ω左右)，但也不能忽略。用来限制栅极电流(虽然栅极阻抗很大，理论上电流应该接近于零，但是别忘了栅极上有一个分布电容，高速开关时不断充电充电。所以为了使灯管快速开关，这个电容要高速充放电，电流很大。)第三个问题:这个要看单片机的电流拉动能力。比如常用的51单片机，IO口的电流牵引能力很差，即使不加限流电阻也输出不了10mA的电流。
6、PWM控制MOS管,我这样接可以吗
1，需要共享，gnd和gnd2要连在一起。2.在G和地之间，最好连接一个稳压器来保护mos，稳压器10到15v，阳极接G..在共地和非共地加一个光O，在控制端加一个保护电路，可以加一个电阻和一个半导体放电管。这种联系是错误的，N沟道MOS管的源极应接地，负载应连接到漏极。你的电路负载应该连接到电源，然后接地，当栅极有电压信号进来时，MOS管开始导通，这就立刻抬高了源极电压，所以栅极和源极之间的电压差变小了，所以管只能一直处于半导通状态，不能正常工作。