功率级mosfet因为电流比较大,所以电极比较大,相应的极间电容也比较大,充放电过程相对比较长,开关速度很难上的去,开关过程功耗也大,CPU内部虽然也是mos。充电器空载时功率管发热是不严重的,因为无负载，充电器空载时功率管发热这个情况的原因分析如下:场效应管在充电的时候它两端也是有一定的电压的，充电MOS开和充电MOS关是关于场效应管(MOSFET)在电路中的工作状态描述。
一个成语概括:适可而止。当滤波电容增加到,足以满足当前负载的滤波需求时,就不必再添加了。下面‘机电匠’在一个短视频中,用实验来告诉你。MOS管的GS级有寄生电容,而且电容值还不小,所以通常情况下会在GS之间挂一个几K的电阻,平且在驱动线路中串如一个几欧姆或者更小的电阻。MOS即MOSFET的简写,全称是金属氧化物场效应晶体管。
MOS管的构造、原理、特性。P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下,PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管，有些MOS管IC中,将两个MOS管集成在一个IC中,就是双MOS。如:AO4800是双NMOS,AO4801A是双PMOS可以说保护板上的IC是检测电池的电压、电流的,如过电压。